Temsili kılıf görseli · Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
FGB20N60SFD
FGB20N60SFD Hakkında
FGB20N60SFD, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT transistörüdür. Field Stop teknolojisi kullanan bu bileşen, maksimum 40A sürekli akım ve 60A atım akım kapasitesine sahiptir. D²PAK (TO-263) yüzeye monte paketinde sunulan transistör, 208W güç dağıtabilen ve -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bir cihaz sınıfı bileşenidir. Vce(on) 2.8V @ 15V ve 20A koşullarında ölçülen bu IGBT, 65nC gate charge değerine ve 34ns reverse recovery time'a sahiptir. Hızlı anahtarlama özellikleriyle (on/off gecikmesi sırasıyla 13ns/90ns) güç dönüştürme uygulamalarında, motor kontrollerinde ve invertör devrelerinde kullanılmaktadır. Mevcut durumu obsolete olan bu bileşen, eski tasarım ve mühendislik uygulamalarında referans alınabilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
65 nC
IGBT Type
Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
208 W
Reverse Recovery Time (trr)
34 ns
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
370µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
13ns/90ns
Test Condition
400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
İlgili Ürünler
