Görsel mevcut değil
FGB20N60SFD
FGB20N60SFD Hakkında
FGB20N60SFD, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT transistörüdür. Field Stop teknolojisi kullanan bu bileşen, maksimum 40A sürekli akım ve 60A atım akım kapasitesine sahiptir. D²PAK (TO-263) yüzeye monte paketinde sunulan transistör, 208W güç dağıtabilen ve -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bir cihaz sınıfı bileşenidir. Vce(on) 2.8V @ 15V ve 20A koşullarında ölçülen bu IGBT, 65nC gate charge değerine ve 34ns reverse recovery time'a sahiptir. Hızlı anahtarlama özellikleriyle (on/off gecikmesi sırasıyla 13ns/90ns) güç dönüştürme uygulamalarında, motor kontrollerinde ve invertör devrelerinde kullanılmaktadır. Mevcut durumu obsolete olan bu bileşen, eski tasarım ve mühendislik uygulamalarında referans alınabilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
65 nC
IGBT Type
Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
208 W
Reverse Recovery Time (trr)
34 ns
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
370µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
13ns/90ns
Test Condition
400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V