Görsel mevcut değil
FGB20N60SF
FGB20N60SF Hakkında
FGB20N60SF, onsemi tarafından üretilen Field Stop tipi IGBT transistördür. 600V collector-emitter breakdown voltajı ve 40A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 2.8V collector-emitter doyum voltajı (Vce(on)) ve 65nC gate charge değerleri kontrollü ve hızlı anahtarlama sağlar. 370µJ açılış ve 160µJ kapanış anahtarlama enerjisi ile enerji verimliliği sağlar. Maksimum 208W güç dağılımı kapasitesiyle invertör, motor sürücü, güç kaynağı ve DC-DC dönüştürücü gibi endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Not: Bu ürün artık üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
65 nC
IGBT Type
Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
208 W
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
370µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
13ns/90ns
Test Condition
400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V