Görsel mevcut değil
FGAF40N60UFDTU
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 40A TO3PF
FGAF40N60UFDTU Hakkında
FGAF40N60UFDTU, onsemi tarafından üretilen 600V 40A IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-3P-3 paketinde sunulan bu komponent, güç anahtarlama uygulamalarında ve DC-AC konverterlerinde kullanılır. 600V kolektör-emitter kırılma gerilimi, maksimum 40A sürekli akım ve 160A darbe akımı kapasitesi ile endüstriyel inverter, kaynak makinaları ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalara uygundur. 77nC kapı yükü ile kontrol edilebilen bu transistör, düşük geçiş enerjisi (on: 470µJ, off: 130µJ) ve hızlı anahtarlama karakteristiği (Td on/off: 15ns/65ns) sağlar. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
77 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3 Full Pack
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
100 W
Reverse Recovery Time (trr)
95 ns
Supplier Device Package
TO-3PF
Switching Energy
470µJ (on), 130µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
15ns/65ns
Test Condition
300V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V