Görsel mevcut değil
FGAF20S65AQ
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 650V 20A TO-3PF
FGAF20S65AQ Hakkında
FGAF20S65AQ, onsemi tarafından üretilen 650V/20A rated IGBT transistördür. Trench Field Stop teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, yüksek hız anahtarlama uygulamalarında düşük kayıp performansı sunar. Maksimum 40A kolektör akımı ve 60A pulse akımı kapasitesine sahiptir. TO-3P-3 Full Pack paketinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 38nC gate charge ve 18ns/102ns on/off gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Güç dönüştürücüleri, inverterler, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. 2.1V VCE(on) değeri ile iletim kayıpları minimize edilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
38 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
75 W
Reverse Recovery Time (trr)
235 ns
Supplier Device Package
TO-3PF-3
Switching Energy
345µJ (on), 95µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
18ns/102ns
Test Condition
400V, 10A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V