Görsel mevcut değil
FGA90N30TU
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 300V 90A 219W TO3P
- Ürün Ailesi
- FGA90N30TU
FGA90N30TU Hakkında
FGA90N30TU, onsemi tarafından üretilen 300V kollektör-emiter yıkılma gerilimi ile çalışan bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 90A maksimum kollektör akımı ve 219W güç kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-3P paketlemede sunulan bu bileşen, 87nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel konvertörler, motor sürücüleri ve güç kaynağı uygulamalarında kullanılır. 1.4V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Pulsed koşullarda 220A'ye kadar destekler. Bileşen şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
90 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
220 A
Gate Charge
87 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
219 W
Supplier Device Package
TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.4V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300 V
İlgili Ürünler
