Görsel mevcut değil
FGA60N65SMD
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P
FGA60N65SMD Hakkında
FGA60N65SMD, onsemi tarafından üretilen 650V Field Stop IGBT transistörüdür. TO-3P paket içinde 120A collector akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 600W maksimum güç dağıtımı ve 189nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 175°C arasında stabil çalışma aralığına sahiptir. Vce(on) voltajı 15V gate voltajında 60A akımda 2.5V olarak belirlenmişdir. Switching energy değerleri sırasıyla 1.54mJ (açılış) ve 450µJ (kapanış) dir. 47ns reverse recovery time ile düşük kayıplar sağlar. Endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları, invertörler ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
120 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
180 A
Gate Charge
189 nC
IGBT Type
Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Active
Power - Max
600 W
Reverse Recovery Time (trr)
47 ns
Supplier Device Package
TO-3P
Switching Energy
1.54mJ (on), 450µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
18ns/104ns
Test Condition
400V, 60A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V