Görsel mevcut değil
FGA50T65SHD
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN
FGA50T65SHD Hakkında
FGA50T65SHD, onsemi tarafından üretilen 650V 100A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 87 nC gate charge ve 34.6 ns reverse recovery time özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. Maksimum 319W güç disipasyonu kapasitesi ile inverter, UPS, endüstriyel motor kontrolü ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
87 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Active
Power - Max
319 W
Reverse Recovery Time (trr)
34.6 ns
Supplier Device Package
TO-3PN
Switching Energy
1.28mJ (on), 384µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
22.4ns/73.6ns
Test Condition
400V, 50A, 6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V