Görsel mevcut değil
FGA50S110P
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT TRENCH/FS 1100V 50A TO3PN
FGA50S110P Hakkında
FGA50S110P, onsemi tarafından üretilen Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 1100V kollektör-emitör breakdown voltajı ve 50A maksimum kolektör akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan bu bileşen, 195nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Maksimum 300W güç dağıtma kapasitesi ile endüstriyel invertörler, motor sürücüleri ve güç elektronik dönüştürücülerinde uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 50A akım için 2.6V olarak belirtilmiştir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
195 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
300 W
Supplier Device Package
TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1100 V