Görsel mevcut değil
FGA50N100BNTTU
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1000V 50A 156W TO3P
FGA50N100BNTTU Hakkında
FGA50N100BNTTU, onsemi tarafından üretilen 1000V/50A NPT ve Trench tipli IGBT transistördür. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltajlı güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 156W maksimum güç dissipasyonuna ve 200A pulse collector akımına sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 60A akımda 2.9V olarak belirtilmiştir. On/off gecikmesi sırasıyla 34ns/243ns'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel invertörler, kaynak makinaları ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Bileşen üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
257 nC
IGBT Type
NPT and Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
156 W
Supplier Device Package
TO-3P
Td (on/off) @ 25°C
34ns/243ns
Test Condition
600V, 60A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.9V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1000 V