Görsel mevcut değil
FGA50N100BNTDTU
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1000V 50A 156W TO3P
FGA50N100BNTDTU Hakkında
FGA50N100BNTDTU, onsemi tarafından üretilen 1000V/50A IGBT transistörüdür. NPT ve Trench teknolojisini birleştiren bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-3P paket tipi ile Through Hole montajını destekler. 156W maksimum güç kapasitesi ile güç elektroniği devrelerinde, endüstriyel invertörler, kaynak makineleri ve motor sürücü uygulamalarında yer alır. Maksimum gate charge 275 nC ve reverse recovery time 1.5 µs özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenli operasyon sunar. Vce(on) değeri 2.9V (@15V, 60A) ile düşük iletim kaybı karakteristiği gösterir. Not: Bu ürün Obsolete (üretimi durdurulmuş) durumundadır.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Gate Charge
275 nC
IGBT Type
NPT and Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
156 W
Reverse Recovery Time (trr)
1.5 µs
Supplier Device Package
TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.9V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1000 V