Görsel mevcut değil
FGA50N100BNTD2
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1000V 50A 156W TO3P
FGA50N100BNTD2 Hakkında
FGA50N100BNTD2, onsemi tarafından üretilen 1000V/50A kapasiteli NPT ve Trench tipi IGBT transistörüdür. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 156W güç dağıtabilir ve -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde ve 60A kolektör akımında 2.9V'dur. 257nC gate charge ve 75ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Pulse akımı 200A'ye çıkabilen bu IGBT, endüstriyel güç elektronikleri, motor kontrol uygulamaları ve güç dönüştürme sistemlerinde kullanıma uygundur. Standart input tipine sahip, through-hole montajı destekler. Mevcut parça durumu obsolete'dir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
257 nC
IGBT Type
NPT and Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
156 W
Reverse Recovery Time (trr)
75 ns
Supplier Device Package
TO-3P
Td (on/off) @ 25°C
34ns/243ns
Test Condition
600V, 60A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.9V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1000 V