Görsel mevcut değil
FGA40T65SHDF
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN
FGA40T65SHDF Hakkında
FGA40T65SHDF, onsemi tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 80A sürekli ve 120A darbe akımı kapasitesine sahip bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-3PN paketinde sunulan transistör, 1.81V tipik Vce(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 68nC gate charge ve 18ns/64ns açılış/kapanış zamanı ile hızlı komutasyon özelliği gösterir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 268W güç tüketebilir. Güç kaynakları, inverter devreleri, AC/DC konvertörler ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
68 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Active
Power - Max
268 W
Reverse Recovery Time (trr)
101 ns
Supplier Device Package
TO-3PN
Switching Energy
1.22mJ (on), 440µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
18ns/64ns
Test Condition
400V, 40A, 6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.81V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V