Görsel mevcut değil
FGA40T65SHDF
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN
- Aile / Seri
- FGA40T65SHDF
FGA40T65SHDF Hakkında
FGA40T65SHDF, onsemi tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 80A sürekli ve 120A darbe akımı kapasitesine sahip bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-3PN paketinde sunulan transistör, 1.81V tipik Vce(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 68nC gate charge ve 18ns/64ns açılış/kapanış zamanı ile hızlı komutasyon özelliği gösterir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 268W güç tüketebilir. Güç kaynakları, inverter devreleri, AC/DC konvertörler ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
68 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Active
Power - Max
268 W
Reverse Recovery Time (trr)
101 ns
Supplier Device Package
TO-3PN
Switching Energy
1.22mJ (on), 440µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
18ns/64ns
Test Condition
400V, 40A, 6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.81V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
İlgili Ürünler
