Görsel mevcut değil
FGA30N65SMD
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT FIELD STOP 650V 60A TO3PN
FGA30N65SMD Hakkında
FGA30N65SMD, onsemi tarafından üretilen Field Stop tipi IGBT transistördür. 650V kollektör-emiter bozulma gerilimi ve 60A maksimum kollektör akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 (SC-65-3) through-hole paketinde sunulan bu bileşen, 300W maksimum güç yönetebilir. 35ns geri kazanım süresi ve 716µJ açılış / 208µJ kapanış enerjisi ile anahtarlama karakteristiği iyi tanımlanmıştır. -55°C ile 175°C arasında işletim sıcaklığında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, motorlar sürücüler, inverter devreleri ve benzer uygulamalarda yaygın olarak kullanılmıştır. Ürün şu an üretimi durdurulmuş (obsolete) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Gate Charge
87 nC
IGBT Type
Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
300 W
Reverse Recovery Time (trr)
35 ns
Supplier Device Package
TO-3PN
Switching Energy
716µJ (on), 208µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
14ns/102ns
Test Condition
400V, 30A, 6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V