Görsel mevcut değil
FGA25N120ANTDTU-F109
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 50A 312W TO3P
FGA25N120ANTDTU-F109 Hakkında
FGA25N120ANTDTU-F109, onsemi tarafından üretilen 1200V/50A IGBT transistördür. NPT ve Trench teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak işlev görür. TO-3P paketinde sunulan transistör, maksimum 312W güç yönetebilir ve 50ns açılış, 190ns kapanış sürelerine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 50A akımda 2.65V'tur. 350ns reverse recovery time ve 200nC gate charge karakteristiği ile endüstriyel sürücü, kaynak inverterleri, motor kontrol devreleri ve güç dönüştürme uygulamalarında kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sağlar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Gate Charge
200 nC
IGBT Type
NPT and Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Active
Power - Max
312 W
Reverse Recovery Time (trr)
350 ns
Supplier Device Package
TO-3P
Switching Energy
4.1mJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
50ns/190ns
Test Condition
600V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.65V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V