Görsel mevcut değil
FF200R12KT4HOSA1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT MOD 1200V 320A 1100W
FF200R12KT4HOSA1 Hakkında
FF200R12KT4HOSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V/320A kapasiteli IGBT modülüdür. Half Bridge konfigürasyonunda tasarlanmış bu Trench Field Stop tipi transistör, maksimum 1100W güç kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 200A'de 2.15V ile belirtilmiştir. Chassis Mount tipi montajla uygulamalara entegre edilir. -40°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. Industrial uygulamalar, güç dönüştürücüler, inverter ve motor sürücü tasarımlarında kullanılan güvenilir bir çözümdür. 14nF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Configuration
Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max)
320 A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
IGBT Type
Trench Field Stop
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
14 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Module
Part Status
Active
Power - Max
1100 W
Supplier Device Package
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V