Görsel mevcut değil
FF200R12KT3EHOSA1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT MODULE 1200V 1050W
FF200R12KT3EHOSA1 Hakkında
FF200R12KT3EHOSA1, 1200V breakdown voltajında çalışan IGBT modüldür. 1050W maksimum güç kapasitesi ile tasarlanmış olup, 200A collector akımında 2.15V Vce(on) değerine sahiptir. 2 bağımsız konfigürasyona sahip bu modül, yüksek voltaj güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. Chassis mount tipi montajla endüstriyel seviyede montajı destekler. -40°C ile 125°C arasında çalışma sıcaklığında istikrarlı performans gösterir. Standard input karakteristiği ve 14 nF input kapasitansı ile entegre devreler tarafından kolaylıkla kontrol edilebilir. Güç dönüşümü, motor sürücüleri ve inverter uygulamalarında tercih edilen bir modüldür.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Configuration
2 Independent
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
14 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Package / Case
Module
Part Status
Active
Power - Max
1050 W
Supplier Device Package
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V