FCP190N65S3R0, 650V drain-source gerilimine sahip N-Kanal güç MOSFET transistördür. Yüksek gerilimli SMPS, PFC, inverter ve endüstriyel güç katı uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır.
Maksimum 17A drain akımı ve 0.19Ω RDS(on) değeri ile orta-yüksek güç seviyelerinde anahtarlama elemanı olarak kullanılabilir. 144W maksimum güç dağılımı (uygun soğutma ile) destekler.
30V gate-source dayanımı ve 4.5V maksimum eşik gerilimi (VGSth) ile tipik sürücü devreleri ile uyumludur. 33nC toplam gate yükü (Qg) ve 16ns rise time değeri anahtarlama performansını belirleyen temel parametrelerdir.
TO-220 kılıf yapısı sayesinde klasik delik montajlı güç uygulamalarında kullanılabilir. Uygun soğutucu ile birlikte çalıştırılması önerilir.
| Ürün Kodu | FCP190N65S3R0 |
| Transistör Tipi | MOSFET |
| Kanal Tipi | N-Channel |
| Maks. Drain-Source Gerilimi (VDS) | 650 V |
| Maks. Drain Akımı (ID) | 17 A |
| Maks. Gate-Source Gerilimi (VGS) | ±30 V |
| Maks. Güç Dağılımı (PD) | 144 W |
| Maks. Junction Sıcaklığı (TJ) | 150 °C |
| RDS(on) (maks.) | 0.19 Ω |
| Gate Threshold Voltage (VGSth max) | 4.5 V |
| Total Gate Charge (Qg) | 33 nC |
| Rise Time (tr) | 16 ns |
| Output Capacitance (Coss) | 30 pF |
| Kılıf | TO-220 |
Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!