Görsel mevcut değil
DI2579N
- Üretici
- Diotec Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BJT SOT-223 700V 1000MA
DI2579N Hakkında
DI2579N, Diotec Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 400V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile orta güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 1.25W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile, düşük frekans güç yönetimi, motor kontrolü ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 1V saturasyon voltajı (50mA base akımında) ve minimum 15 DC current gain değeri ile tasarım hesaplamalarında önceden belirlenebilir karakteristikler sunmaktadır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 350mA, 5V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
1.25 W
Supplier Device Package
SOT-223
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 350mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V