Görsel mevcut değil
DI13001
- Üretici
- Diotec Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BJT SOT-23 700V 250MA
DI13001 Hakkında
DI13001, Diotec Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23 yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum collector-emitter voltajı 450V, collector akımı 250mA ve maksimum güç tüketimi 800mW olarak belirlenmiştir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, güç kaynağı uygulamalarında ve yüksek voltaj kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
250 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 50mA, 5V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 20mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
450 V