Görsel mevcut değil
DG636EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix 2x SPDT 2:1 Anahtar Entegre Devre
DG636EEN-T1-GE4
- Üretici
- Vishay Siliconix
- Kılıf / Paket
- —
DG636EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix 2x SPDT 2:1 Anahtar Entegre Devre Hakkında
DG636EEN-T1-GE4, Vishay Siliconix üretimi 2 devreli SPDT (2:1) analog anahtar entegresidir. 96 Ohm maksimum iletim direnci, 700 MHz -3 dB bant genişliği ve 3V-16V tek besleme veya ±3V-8V çift besleme ile çalışır. 16-miniQFN (1.8x2.6) SMD pakette, -40°C ile 125°C aralığında kullanıma uygundur.
DG636EEN-T1-GE4 16-UFQFN kılıfta üretilmiştir. 2 Circuit IC Switch 2:1 96Ohm 16-miniQFN (1.8x2.6)
| Ürün Kodu | DG636EEN-T1-GE4 |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Package / Case | 16-UFQFN |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TA) |
| On-State Resistance (Max) | 96Ohm |
| -3db Bandwidth | 700MHz |
| Supplier Device Package | 16-miniQFN (1.8x2.6) |
| Voltage - Supply, Single (V+) | 3V ~ 16V |
| Voltage - Supply, Dual (V±) | ±3V ~ 8V |
| Charge Injection | -0.33pC |
| Crosstalk | -62dB @ 1MHz |
| Switch Circuit | SPDT |
| Multiplexer/Demultiplexer Circuit | 2:1 |
| Channel-to-Channel Matching (ΔRon) | 300mOhm |
| Switch Time (Ton, Toff) (Max) | 46ns, 55ns |
| Channel Capacitance (CS(off), CD(off)) | 3.7pF, 4.4pF |
| Current - Leakage (IS(off)) (Max) | 1nA |
| Number of Circuits | 2 |
DG636EEN-T1-GE4 Datasheet dosyasına ulaşmak için tıklayınız.