Görsel mevcut değil
DF650R17IE4BOSA1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT MOD 1700V 930A 4150W
DF650R17IE4BOSA1 Hakkında
DF650R17IE4BOSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT modülüdür. 1700V breakdown voltajı ve 930A maksimum collector akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. Tek konfigürasyonda tasarlanmış bu modül, 4150W maksimum güç kapasitesine sahiptir. NTC thermistor entegrasyonu ile sıcaklık kontrolü sağlar. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 650A akımda 2.45V olarak belirlenmiştir. Chassis mount tipi kasa ve -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol ve enerji yönetimi uygulamalarında yer alabilir. Ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Configuration
Single
Current - Collector (Ic) (Max)
930 A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
54 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Package / Case
Module
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
4150 W
Supplier Device Package
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.45V @ 15V, 650A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700 V