Görsel mevcut değil
DDB2U30N08VRBOMA1307
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT MODULE
- Ürün Ailesi
- DDB2U30N08VRB
DDB2U30N08VRBOMA1307 Hakkında
DDB2U30N08VRBOMA1307, Rochester Electronics tarafından üretilen 3 bağımsız IGBT transistör modülüdür. 600V kolektör-emiter kırılma gerilimi ile 25A maksimum kolektör akımı kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate gerilimi ve 20A kolektör akımında 2.55V olarak belirlenmiştir. Chassis mount tipi kasa ile endüstriyel uygulamalarda kolayca entegre edilebilir. NTC thermistor entegrasyonu ile sıcaklık kontrolü sağlanır. -40°C ile 125°C arasında çalışma sıcaklık aralığında çalışır. Anahtarlama güç uygulamalarında, inverter devreleri, motor kontrol ve DC/DC dönüştürücülerde kullanılır.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Configuration
3 Independent
Current - Collector (Ic) (Max)
25 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
880 pF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C (TJ)
Package / Case
Module
Part Status
Active
Power - Max
20 mW
Supplier Device Package
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.55V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V