Görsel mevcut değil
CZT5551E TR
- Üretici
- Central Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP
CZT5551E TR Hakkında
CZT5551E TR, Central Semiconductor tarafından üretilen yüksek voltajlı NPN bipolar junction transistördür. SOT-223 SMD paket içinde sunulan bu komponent, 600mA maksimum kollektör akımı ve 220V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 2W maksimum güç derecelendirmesi ve 300MHz transition frekansı ile ses frekansı ve hafif RF devrelerinde kullanılabilir. 120 minimum DC kazanç (hFE @ 10mA, 5V) sağlar. -65°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışır. Genel amaçlı anahtarlama, sürücü ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
SOT-223
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
220 V