Görsel mevcut değil
CZT5551E BK
- Üretici
- Central Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP
CZT5551E BK Hakkında
CZT5551E BK, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup surface mount SO-223 paketinde sunulmaktadır. 600mA maksimum collector akımı, 2W güç kapasitesi ve 220V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 300MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun, 120 minimum DC current gain (hFE) değerine sahiptir. Saturasyon voltajı 100mV ile düşük olup, amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde, ses frekansı uygulamalarında, kontrol ve sürücü devreleri gibi elektronik tasarımlarda kullanılır. -65°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
SOT-223
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
220 V