Görsel mevcut değil
CXT5551E TR
- Üretici
- Central Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP
CXT5551E TR Hakkında
CXT5551E TR, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, surface mount uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. SOT-89 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 600mA kolektör akımı ve 220V kolektör-emitter gerilimi ile orta güç seviyesinde anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerini gerçekleştirebilir. 300MHz transition frequency ile yüksek hızlı devrelerde kullanılabilir. 1.2W maksimum güç disipasyonu, -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında 120 minimum DC akım kazancı (hFE) ile çeşitli endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında anahtarlama, amplifikasyon ve sürücü devrelerinde yer alabilir. Bileşen şu anda üretilmemektedir (obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.2 W
Supplier Device Package
SOT-89
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
220 V