Görsel mevcut değil
CXT5551E BK
- Üretici
- Central Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP
CXT5551E BK Hakkında
CXT5551E BK, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek frekans uygulamaları için tasarlanmıştır. 600mA maksimum kollektör akımı, 120 minimum DC akım kazancı (hFE @ 10mA, 5V) ve 300MHz transition frekansı ile orta güç seviyesi sinyal işleme ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 220V collector-emitter breakdown voltajı ile güç uygulamalarına uygun olan komponent, -65°C ile +150°C arasında çalışabilir. 1.2W maksimum güç harcaması ve 100mV doyum voltajı (@ 5mA, 50mA) sayesinde audio amplifikatörler, RF devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Surface mount SOT-89 paketinde sunulmuştur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.2 W
Supplier Device Package
SOT-89
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
220 V