Görsel mevcut değil
CTLT853-M833 TR
- Üretici
- Central Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR
CTLT853-M833 TR Hakkında
CTLT853-M833 TR, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN tip bipolar junction transistor (BJT) olup surface mount 8-VDFN paketinde sunulmaktadır. Maksimum 6A collector akımı, 110V collector-emitter kırılma gerilimi ve 190MHz transition frequency ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 2.5W maksimum güç dağıtma kapasitesi, 100 (minimum) DC current gain ve 340mV saturation gerilimi özellikleriyle anahtarlama ve sinyal amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Endüstriyel kontrol, motor sürücü ve güç yönetim uygulamalarında yer bulur.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition
190MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-VDFN Exposed Pad
Part Status
Obsolete
Power - Max
2.5 W
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
340mV @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
110 V