Görsel mevcut değil
CTLT3410-M621 BK
- Üretici
- Central Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR NPN DFN6
CTLT3410-M621 BK Hakkında
CTLT3410-M621 BK, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, kompakt 6-PowerVFDFN yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. Maksimum 1A collector akımı, 100MHz transition frequency ve 900mW güç yönetim kapasitesi ile genel sinyal amplifikasyon, anahtarlama ve düşük frekans uygulamalarında kullanılır. 25V collector-emitter breakdown voltajı ve -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygun özelliklere sahiptir. DC current gain (hFE) değeri 100mA collector akımında minimum 100 olup, düşük işaret seviyesi amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. Ürün aktif olarak üretilmemektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
6-PowerVFDFN
Part Status
Obsolete
Power - Max
900 mW
Supplier Device Package
TLM621
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
450mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25 V