Görsel mevcut değil
CP788X-2N2605-WN
- Üretici
- Central Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR LNA PNP
CP788X-2N2605-WN Hakkında
CP788X-2N2605-WN, Central Semiconductor tarafından üretilen yüksek frekans uygulamaları için tasarlanmış PNP bipolar transistördür (BJT). Die paket formatında sunulan bu bileşen, düşük gürültü amplifikasyonu (LNA) devrelerine uygun özelliklere sahiptir. Maksimum 30mA collector akımı, 150 minimum DC current gain (hFE) ve 45V breakdown voltajı ile RF/mikrodalga uygulamalarında, kablosuz iletişim sistemlerinde ve özel LNA tasarımlarında kullanılmaya uygundur. -65°C ile 200°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ve askeri ortamlarda güvenilir performans sağlar. 400mW maksimum güç harcaması ile enerji-verimli devre tasarımlarına entegre edilebilir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
150 @ 500µA, 5V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Power - Max
400 mW
Supplier Device Package
Die
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V