Görsel mevcut değil
CP337V-2N3725-CT
- Üretici
- Central Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 50V 1.2A DIE
CP337V-2N3725-CT Hakkında
CP337V-2N3725-CT, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) türü bir diskret elektronik komponenttir. Die paketinde sağlanan bu transistör, 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 1.2A maksimum collector akımı ile çalışabilir. 300MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 800mW maksimum güç tüketimiyle birlikte -65°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışmaya uygun tasarlanmıştır. 60 minimum DC current gain (hFE) ve 950mV saturation gerilimi özellikleriyle rf amplifikatör, anahtarlama ve orta-güç uygulamalarında yer bulabilir. Surface mount die formattaki bu komponent endüstriyel ve tüketici elektroniği tasarımlarında kullanılan bir çeşitli sinyal işleme ve güç yönetimi devrelerinde uygulanabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1.2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
Die
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
950mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V