Görsel mevcut değil
CP327V-2N5308-WN
- Üretici
- Central Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- POWER TRANSISTOR NPN DIE
CP327V-2N5308-WN Hakkında
CP327V-2N5308-WN, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN Darlington power transistör die'ıdır. Die formunda sunulan bu komponent, yüksek DC current gain (hFE: 7000 @ 2mA, 5V) ile karakterize edilir. 300mA maksimum collector akımı, 40V collector-emitter breakdown voltajı ve 1.4V saturation voltajı (200µA base akımında, 200mA collector akımında) ile özellikle güç uygulamalarında kullanılır. 60MHz transition frequency ile RF ve anahtarlama devrelerinde yer alabilir. -65°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, integrated circuit üretiminde die seviyesinde entegrasyona uygun olup, chip-on-board (COB) ve hibrid entegre devre tasarımlarında kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
300 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
7000 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
60MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.4V @ 200µA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V