Görsel mevcut değil
CP307V-MPSA13-WN
- Üretici
- Central Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- POWER TRANSISTOR NPN DIE
CP307V-MPSA13-WN Hakkında
CP307V-MPSA13-WN, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN Darlington güç transistörüdür. Die (çip) formunda sunulan bu bileşen, yüksek DC current gain (minimum 10000 @ 100mA, 5V) ve düşük saturation voltajı (1.5V @ 100µA, 100mA) özellikleriyle karakterize edilir. Maksimum collector akımı 500mA, geçiş frekansı 125MHz ve collector-emitter breakdown voltajı 30V'dur. 625mW güç dissipasyonu kapasitesiyle sahip olan bu transistör, -65°C ile +150°C arasında çalışabilir. Elektronik anahtarlama uygulamalarında, güç amplifikasyonunda ve driver devrelerinde kullanılmaya uygundur. Surface mount teknolojisi ile entegre edilmek üzere tasarlanmıştır. Bileşen şu anda obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
125MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
Die
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 100µA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V