Görsel mevcut değil
CP307V-2N5308-WN
- Üretici
- Central Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- POWER TRANSISTOR NPN DIE
CP307V-2N5308-WN Hakkında
CP307V-2N5308-WN, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN Darlington transistörüdür. Surface mount Die paket formatında sunulan bu komponent, maksimum 300mA collector akımı ve 40V collector-emitter gerilimi ile çalışabilir. 7000'lik yüksek DC akım kazancı (hFE) ile düşük base akımında yüksek collector akımı elde edilebilir. 60MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalara uygundur. 1.4V saturation voltajı ile güç kaybı minimuma indirilmiştir. -65°C ile +150°C arasında işletme sıcaklığı aralığında çalışır. Darlington yapısı sayesinde yüksek akım kazancı sağlayan bu transistör, endüstriyel kontrol, motor sürücü ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Komponent mevcut üretimde bulunmamaktadır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
300 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
7000 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
60MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.4V @ 200µA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V