Görsel mevcut değil
CP307-2N5308-WN
- Üretici
- Central Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- POWER TRANSISTOR NPN DIE
CP307-2N5308-WN Hakkında
CP307-2N5308-WN, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN Darlington power transistor die formundadır. 300mA maksimum kolektör akımı ve 625mW güç dissipasyonu kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 40V maksimum Vce breakdown voltajı ve 60MHz transition frequency ile hız gerektiren anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Yüksek DC current gain (20000 @ 100mA, 5V) sayesinde düşük base akımında çalışabilir. Die formatta olması, mikro-elektronik entegrasyonu ve özel paketleme çözümleri gerektiren endüstriyel uygulamalara uygundur. -65°C ile 150°C arasında çalışır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
300 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
60MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
Die
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.4V @ 200µA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V