Görsel mevcut değil
CP307-2N5308-CT
- Üretici
- Central Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- POWER TRANSISTOR NPN DIE
CP307-2N5308-CT Hakkında
CP307-2N5308-CT, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN Darlington güç transistörü die'sidir. Surface mount uygulamalar için tasarlanan bu bileşen, 300mA maksimum collector akımı ve 40V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ile çalışır. 625mW güç disipasyonuna sahip olan transistör, 20000 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 60MHz transition frekansı özellikleriyle donatılmıştır. 1.4V saturation voltajı ile düşük kayıp anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen bu die, motor kontrolü, LED sürücüleri ve voltaj regülatörleri gibi uygulamalarda yer alabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
300 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
60MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
Die
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.4V @ 200µA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V