Görsel mevcut değil
CP219-2N5339-WN
- Üretici
- Central Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- HIGH CURRENT TRANSISTOR
CP219-2N5339-WN Hakkında
CP219-2N5339-WN, Central Semiconductor tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli NPN bipolar transistörüdür. 5A maksimum collector akımı, 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 6W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 60 minimum DC akım kazancı (hFE @ 2A, 2V) ve 30MHz transition frequency özellikleri bulunmaktadır. Surface mount Die paketi içerisinde sunulan bu transistör, -65°C ile 150°C arasında çalışabilmektedir. 1.2V saturation voltajı (@ 500mA, 5A) ile güç anahtarlama uygulamalarında, amplifikasyon devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılmaya uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 2A, 2V
Frequency - Transition
30MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Power - Max
6 W
Supplier Device Package
Die
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V