Görsel mevcut değil
CP188-BC546B-CT
- Üretici
- Central Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR LNA NPN
CP188-BC546B-CT Hakkında
CP188-BC546B-CT, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface Mount Die paketinde sunulan bu transistör, düşük gürültü amplifikasyon uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 100mA kolektör akımı, 65V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 200 minimum DC current gain (2mA, 5V koşullarında) özellikleriyle çalışır. 500mW maksimum güç disipasyonuna sahiptir. -65°C ile 150°C sıcaklık aralığında işletilir. Yaygın olarak düşük seviye sinyal işleme, amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde kullanılan bu komponentin üretimi sonlandırılmış olup eski tasarımların yerleştirmesi için bulunabilmektedir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
Die
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
65 V