Görsel mevcut değil
CP188-2N2919-CT
- Üretici
- Central Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR LNA NPN
CP188-2N2919-CT Hakkında
CP188-2N2919-CT, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük gürültü amplifikatör (LNA) uygulamaları için tasarlanmıştır. Die paketinde sunulan bu bileşen, 30 mA maksimum kollektör akımı ve 150 (minimum) DC akım kazancı ile çalışır. 60V maksimum kolektör-emitter besleme gerilimi ve 300 mW maksimum güç tüketimine sahiptir. -65°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında kararlı performans sunmaktadır. RF ve analog sinyal işleme devreleri, düşük gürültı ön aşamaları ve hassas ölçüm uygulamalarında kullanılır. Surface mount teknolojisi ile entegrasyon sağlanmaktadır.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
2nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
150 @ 1mA, 5V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
Die
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
350mV @ 100µA, 1mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V