Görsel mevcut değil
CMUT5551E TR
- Üretici
- Central Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP
CMUT5551E TR Hakkında
CMUT5551E TR, Central Semiconductor tarafından üretilen bir NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup surface mount SC-89/SOT-490 paketinde sunulmaktadır. Bu transistör, maksimum 600mA collector akımı ve 250mW güç dissipasyonu kapasitesine sahip, 120'nin minimum DC current gain (hFE) değeri ile çalışmaktadır. 300MHz transition frequency ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 100mV saturation voltajı ile düşük kayıpla şalter görevini yerine getirmektedir. -65°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenli operasyon sağlar. Sayısal lojik devreleri, amplifikatör uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SC-89, SOT-490
Part Status
Obsolete
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
SOT-523
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
220 V