Görsel mevcut değil
CMPT5551E TR
- Üretici
- Central Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP
CMPT5551E TR Hakkında
CMPT5551E TR, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 600mA kollektör akımı ve 220V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 300MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 120 minimum DC current gain (hFE) değeri ve 100mV saturation voltajı ile düşük güç kaybında çalışabilir. Maksimum 350mW güç tüketimine sahip olan komponent, -65°C ile 150°C arasında güvenli bir şekilde işletilir. Genel amaçlı amplifikasyon, anahtarlama ve sinyal işleme devrelerinde uygulanır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
350 mW
Supplier Device Package
SOT-23
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
220 V