Görsel mevcut değil
CMPT5551E BK
- Üretici
- Central Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP
CMPT5551E BK Hakkında
CMPT5551E BK, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maximum kolektör akımı 600mA, DC akım kazancı (hFE) minimum 120 (10mA, 5V koşullarında) ve 300MHz transition frekansı ile orta güç seviyesi devrelerde anahtarlama ve amplifikasyon görevlerini yerine getirir. 350mW maksimum güç dağılımı ve 220V collector-emitter breakdown voltajı ile genel amaçlı uygulamalarda, ses frekansı amplifikatörleri, aydınlatma kontrol devreleri ve switch modlu güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılabilir. SOT-23 SMD paket formatında sunulan bu transistör, geniş çalışma sıcaklık aralığında (-65°C ile 150°C arasında) güvenilir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
350 mW
Supplier Device Package
SOT-23
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
220 V