Görsel mevcut değil
BUP213
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 32A 200W TO220
BUP213 Hakkında
BUP213, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 32A sürekli kolektör akımı ve 64A darbe akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 200W maksimum güç dağıtımına sahip bu komponent, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 3.2V Vce(on) değeri ile düşük konduktif kayıplara sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilmektedir. Açılış ve kapanış süreleri sırasıyla 70ns ve 400ns'dir. 1200V yüksek voltaj derecelendirmesi nedeniyle endüstriyel uygulamalar, motor kontrolü, şarj cihazları ve güç kaynakları gibi yüksek güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Komponent şu anda üretilmemektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
32 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
64 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
200 W
Supplier Device Package
TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C
70ns/400ns
Test Condition
600V, 15A, 82Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.2V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V