Görsel mevcut değil
BUD42DT4G
BUD42DT4G Hakkında
BUD42DT4G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 350V collector-emitter voltajı ve 4A collector akımı ile çalışabilir. 25W güç yeteneğine sahip olan bileşen, -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Maksimum 100µA collector cutoff akımı ve 1V doyum voltajı (2A'de) özellikleriyle sahip olan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç amplifikasyon devreleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Surface mount montaj tipi sayesinde modern PCB tasarımlarına uyumludur. Not: Bu ürün obsolete (üretim dışı) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 2A, 5V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
25 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 500mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V