Görsel mevcut değil
BSV52LT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 12V 100MA SOT23-3
BSV52LT1G Hakkında
BSV52LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek hızlı NPN bipolar junction transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketi içerisinde sunulan bu bileşen, maksimum 100 mA kollektör akımı ve 12V kırılma gerilimi ile çalışır. 400 MHz transition frequency özelliğine sahip olması, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanımına uygun kılar. Maksimum 225 mW güç tüketimi ile düşük güç gerektiren devrelerde tercih edilir. DC akım kazancı (hFE) 40 ile başlayan değerler sunmakta, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında istikrarlı performans göstermektedir. Uydu haberleşme, RF amplifikasyon, aşama kontrol devrelerinde ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition
400MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12 V