Görsel mevcut değil
BSV52LT1
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 12V 0.1A SOT-23
BSV52LT1 Hakkında
BSV52LT1, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-23 yüzey montajlı paket içerisinde sunulmaktadır. 12V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 400MHz transition frequency değeri ile orta hızlı anahtarlama işlemlerinde tercih edilebilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, sinyal amplifikasyonu, dijital lojik devrelerde sürücü transistörü olarak ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanıldığı görülmektedir. 225mW maksimum güç ve 40 minimum hFE (10mA, 1V koşulunda) değerleriyle kompakt elektronik tasarımlarda tercih edilmektedir. Bileşen üretiminden kaldırılmış olup, stok miktarları sınırlıdır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition
400MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12 V