Görsel mevcut değil
BSS63T116
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BSS63 IS A SOT-23 PACKAGE TRANSI
BSS63T116 Hakkında
BSS63T116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23 yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, düşük sinyal uygulamalarında ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılmaktadır. 100 mA maksimum kollektör akımı, 200 MHz geçiş frekansı ve 100 V collector-emitter breakdown gerilimi özellikleriyle, ses amplifikasyonu, sinyal kontrol ve düşük güç anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 350 mW maksimum güç yayılımı ile sınırlı güç bütçesi gerektiren tasarımlara uygundur. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Şu anda obsolete statüsündedir ve yeni tasarımlarda yerine konabilecek güncel alternatiflerin değerlendirilmesi önerilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
350 mW
Supplier Device Package
SST3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V