Görsel mevcut değil
BSS5130T116
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BSS5130 IS A SOT-23 PACKAGE TRAN
BSS5130T116 Hakkında
BSS5130T116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, kompakt SOT-23 (TO-236-3) paketinde sunulmaktadır. Maksimum 1A kollektör akımı, 200mW güç sınırlaması ve 30V kollektör-emitter yıkılma gerilimi özellikleri ile genel amaçlı anahtarlama ve düşük güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 270 minimum hFE değeri (100mA, 2V'de) ve 380mV maksimum doyum gerilimi ile verimli anahtar karakteristiği sunar. 320MHz geçiş frekansı hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde tercih edilebilir. Yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren gürültü azaltma, ses frekansı amplifikasyonu, otomasyon kontrol devreleri ve tüketici elektroniği uygulamalarında yer alan bir bileşendir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
320MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
SST3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
380mV @ 25mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V