Görsel mevcut değil
BSS5130AT116
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS 100V 100A SOT-23
BSS5130AT116 Hakkında
BSS5130AT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 30V collector-emitter breakdown voltajı ve 100A akım kapasitesi ile güç anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü, LED sürücüleri ve ses amplifikasyon sistemlerinde kullanılır. SOT-23 surface mount paketi ile kompakt tasarımlar oluşturmaya olanak tanır. 320MHz transition frequency'si sayesinde hızlı komutasyon gerektiren uygulamalarda etkinlik sağlar. 150°C maksimum işletme sıcaklığında güvenilir çalışır. 200mW maksimum güç disipasyonu ve 270 minimum DC current gain değerleri ile ekonomik ve verimli devre tasarımına destek olur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
320MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
SST3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
380mV @ 25mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V