Görsel mevcut değil
BSS5130AHZGT116
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BSS5130AHZG IS A SOT-23 PACKAGE
BSS5130AHZGT116 Hakkında
BSS5130AHZGT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen yüksek hızlı PNP bipolar transistördür. SOT-23 yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 1A maksimum kolektör akımı ve 320MHz transition frequency ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 200mW güç dağıtım kapasitesi ve 30V breakdown voltajı ile, taşınabilir cihazlar, ses uygulamaları ve genel sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. 150°C'ye kadar çalışabilen bileşen, 270 minimum DC current gain değeri ile kararlı işletme karakteristiği sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
320MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
SST3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
380mV @ 25mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V