Görsel mevcut değil
BSM75GB170DN2HOSA1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT MOD 1700V 110A 625W
BSM75GB170DN2HOSA1 Hakkında
BSM75GB170DN2HOSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen Half Bridge konfigürasyonlu IGBT modülü olup yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 1700V collector-emitter breakdown voltajı ve 110A maksimum kolektör akımı ile güç elektronikleri devrelerinde anahtarlama elemanı görevi yapar. 625W maksimum güç kapasitesi sayesinde endüstriyel sürücüler, invertörler ve DC-DC konvertörlerde tercih edilir. Chassis mount tipi modül tasarımı, soğutma sistemine entegre edilmesi için uygun olup, 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında çalışabilir. Vce(on) değeri 3.9V (@15V, 75A) ile enerji kaybı minimize edilir. Standart giriş konfigürasyonu ve 11nF giriş kapasitansı hızlı komütasyon karakteristiği sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Configuration
Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max)
110 A
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
11 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
Module
Part Status
Obsolete
Power - Max
625 W
Supplier Device Package
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.9V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700 V